长鑫科技第五代DRAM平台量产：单片晶圆裸片产出提升至少50%

9月20日，2026世界制造业大会在合肥开幕，长鑫科技集团宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。公司方面表示，G5平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是其在高端存储技术路线上里程碑式的突破。

工艺细节上，G5平台依托四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖内存量产平台的制程水平；通过工艺流程变革与新材料应用，存储电容深宽比达到45:1，并采用适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺。微缩工艺的突破带来存储密度跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在能效与成本上均具备显著优势。

产品层面，基于G5平台的两款24Gb LPDDR5X产品已进入规模量产，适配中高端智能手机；此前的8月，长鑫LPDDR6已宣布量产商用，首发搭载于小米旗舰折叠机型。行业研究数据显示，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的7638亿美元；在AI算力需求拉动下，市场正面临多年未见的存储芯片供应紧张。

【AICOR点评】存储是AI算力的第二成本大头，HBM供应紧张已多次卡住国产AI芯片出货。长鑫把量产制程推进到与国际一线接近的水平，对国内AI供应链意味着两件事：一是保供能力增强，二是国产算力整体方案的定价自主权变大。对采购方，2027年前后国产存储放量窗口值得纳入算力建设的采购规划。